Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 1999
Bertrand BOUDART : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01646787
Soumis le : jeudi 23 novembre 2017-17:49:29
Dernière modification le : vendredi 26 avril 2024-03:29:56
Citer
B. Boudart, Christophe Gaquière, S. Trassaert, M. Constant, A. Lorriaux, et al.. Raman characterization of SiNx deposition on undoped Al0.48In0.52As and n+ Ga0.47In0.53As layers for InP high electron mobility transistor applications. Applied Physics Letters, 1999, 74 (21), pp.3221 - 3223. ⟨10.1063/1.124111⟩. ⟨hal-01646787⟩
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