Parasitic channel induced by an on-state stress in AlInN/GaN HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2017

Parasitic channel induced by an on-state stress in AlInN/GaN HEMTs

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hal-01646149 , version 1 (27-05-2022)

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Citer

S. Petitdidier, Y. Guhel, J. L. Trolet, P. Mary, Christophe Gaquière, et al.. Parasitic channel induced by an on-state stress in AlInN/GaN HEMTs. Applied Physics Letters, 2017, 110 (16), ⟨10.1063/1.4980114⟩. ⟨hal-01646149⟩
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