A new floating gate compact model applied to flash memory cell

R. Laffont; P. Masson; S. Bernardini; J. M. Mirabel

doi:10.1016/s0022-3093(03)00210-2

Article Dans Une Revue Journal of Non-Crystalline Solids Année : 2003

A new floating gate compact model applied to flash memory cell

(1) , , (2) ,

1
2

R. Laffont

Fonction : Auteur

Laboratoire matériaux et microélectronique de Provence

P. Masson

Fonction : Auteur

S. Bernardini

Fonction : Auteur
PersonId : 11271
IdHAL : sandrine-bernardini
ORCID : 0000-0001-9673-222X
IdRef : 084553219

University of Manchester Institute of Science and Technology

J. M. Mirabel

Fonction : Auteur

Résumé

no abstract

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Sandrine Bernardini : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01633149

Soumis le : samedi 11 novembre 2017-15:50:59

Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07

Dates et versions

hal-01633149 , version 1 (11-11-2017)

Identifiants

HAL Id : hal-01633149 , version 1
DOI : 10.1016/s0022-3093(03)00210-2

Citer

R. Laffont, P. Masson, S. Bernardini, J. M. Mirabel. A new floating gate compact model applied to flash memory cell. Journal of Non-Crystalline Solids, 2003, 322 (1-3), pp.250-255. ⟨10.1016/s0022-3093(03)00210-2⟩. ⟨hal-01633149⟩

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