Nanoscale imaging and X-ray spectroscopy of electrically active defects in ultra thin dielectrics on silicon - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2007

Nanoscale imaging and X-ray spectroscopy of electrically active defects in ultra thin dielectrics on silicon

S. Bernardini
University of Manchester Institute of Science and Technology
CV
M. Ishii
  • Fonction : Auteur
E. Whittaker
  • Fonction : Auteur
B. Hamilton
  • Fonction : Auteur
J. W. Freeland
  • Fonction : Auteur
N. R. J. Poolton
  • Fonction : Auteur
S. de Gendt
  • Fonction : Auteur

Résumé

no abstract

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-01633142

Soumis le : samedi 11 novembre 2017-15:50:50

Dernière modification le : mardi 23 juillet 2019-11:16:04

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Dates et versions

hal-01633142 , version 1 (11-11-2017)

Identifiants

Citer

S. Bernardini, M. Ishii, E. Whittaker, B. Hamilton, J. W. Freeland, et al.. Nanoscale imaging and X-ray spectroscopy of electrically active defects in ultra thin dielectrics on silicon. Microelectronic Engineering, 2007, 84 (9-10), pp.2286-2289. ⟨10.1016/j.mee.2007.04.054⟩. ⟨hal-01633142⟩

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