Passive mode locking of a GaSb-based quantum well diode laser emitting at 2.1 μ m - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2015

Passive mode locking of a GaSb-based quantum well diode laser emitting at 2.1 μ m

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01626270 , version 1 (30-10-2017)

Identifiants

Citer

Kamel Merghem, R. Teissier, G. Aubin, A. Monakhov, A. Ramdane, et al.. Passive mode locking of a GaSb-based quantum well diode laser emitting at 2.1 μ m. Applied Physics Letters, 2015, 107 (11), ⟨10.1063/1.4931364⟩. ⟨hal-01626270⟩
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