Cellules solaires en couches minces semi-conductrices en nitrure d’indium et de gallium (InGaN) : potentiel, limites et perspectives - Archive ouverte HAL Access content directly
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Cellules solaires en couches minces semi-conductrices en nitrure d’indium et de gallium (InGaN) : potentiel, limites et perspectives

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hal-01620576 , version 1 (20-10-2017)

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  • HAL Id : hal-01620576 , version 1

Cite

Sidi Ould Saad Hamady, Adaine Abdoulwahab, Nicolas Fressengeas. Cellules solaires en couches minces semi-conductrices en nitrure d’indium et de gallium (InGaN) : potentiel, limites et perspectives. Workshop Matériaux pour l’Optique & Photonique, Oct 2017, Nancy, France. ⟨hal-01620576⟩
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