Article Dans Une Revue
Semiconductor Science and Technology
Année : 2013
Dauverchain Eric : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01620500
Soumis le : vendredi 20 octobre 2017-16:16:45
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:05
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01620500 , version 1
- DOI : 10.1088/0268-1242/28/1/015015
Citer
S. Gadedjisso-Tossou, S. Belahsene, M. A. Mohou, E. Tournié, Y. Rouillard. Recombination channels in 2.4–3.2 µm GaInAsSb quantum-well lasers. Semiconductor Science and Technology, 2013, 28 (1), ⟨10.1088/0268-1242/28/1/015015⟩. ⟨hal-01620500⟩
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