Recombination channels in 2.4–3.2 µm GaInAsSb quantum-well lasers - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Semiconductor Science and Technology Année : 2013
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hal-01620500 , version 1 (20-10-2017)

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Citer

S. Gadedjisso-Tossou, S. Belahsene, M. A. Mohou, E. Tournié, Y. Rouillard. Recombination channels in 2.4–3.2 µm GaInAsSb quantum-well lasers. Semiconductor Science and Technology, 2013, 28 (1), ⟨10.1088/0268-1242/28/1/015015⟩. ⟨hal-01620500⟩
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