Article Dans Une Revue
Semiconductor Science and Technology
Année : 2012
Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01619620
Soumis le : jeudi 19 octobre 2017-15:06:06
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:05
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01619620 , version 1
- DOI : 10.1088/0268-1242/27/8/085011
Citer
D. Sanchez, L. Cerutti, E. Tournié. Selective lateral etching of InAs/GaSb tunnel junctions for mid-infrared photonics. Semiconductor Science and Technology, 2012, 27 (8), ⟨10.1088/0268-1242/27/8/085011⟩. ⟨hal-01619620⟩
Collections
70
Consultations
0
Téléchargements