Highly tensile-strained, type-II, Ga1−xInxAs/GaSb quantum wells - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2010
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01618751 , version 1 (18-10-2017)

Identifiants

Citer

T. Taliercio, A. Gassenq, E. Luna, A. Trampert, E. Tournié. Highly tensile-strained, type-II, Ga1−xInxAs/GaSb quantum wells. Applied Physics Letters, 2010, 96 (6), ⟨10.1063/1.3303821⟩. ⟨hal-01618751⟩
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