Type II transition in InSb-based nanostructures for midinfrared applications
R. Intartaglia
(1)
,
G. Rainó
,
V. Tasco
(2)
,
F. Della Sala
(3)
,
R. Cingolani
(4)
,
A. N. Baranov
(2, 5)
,
N. Deguffroy
(2)
,
E. Tournié
(2, 5)
,
B. Satpati
,
A. Trampert
(6)
,
M. de Giorgi
(4)
1
GES -
Groupe d'étude des semiconducteurs
2 IES - Institut d’Electronique et des Systèmes
3 Istituto di Nanoscienze- CNR
4 IIT - Italian Institute of Technology = Istituto Italiano di Tecnologia
5 NANOMIR - Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge
6 PDI - Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik
2 IES - Institut d’Electronique et des Systèmes
3 Istituto di Nanoscienze- CNR
4 IIT - Italian Institute of Technology = Istituto Italiano di Tecnologia
5 NANOMIR - Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge
6 PDI - Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik
G. Rainó
- Fonction : Auteur
A. N. Baranov
- Fonction : Auteur
- PersonId : 19555
- IdHAL : alexei-baranov
- ORCID : 0000-0003-4940-6098
- IdRef : 068447868
E. Tournié
- Fonction : Auteur
- PersonId : 18604
- IdHAL : eric-tournie
- ORCID : 0000-0002-8177-0810
- IdRef : 077085035
B. Satpati
- Fonction : Auteur