Influence of an epitaxial Si capping of Ge islands on Si(0 0 1) and Si(1 1 0) by LPCVD - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures Année : 2003

Influence of an epitaxial Si capping of Ge islands on Si(0 0 1) and Si(1 1 0) by LPCVD

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hal-01616518 , version 1 (13-10-2017)

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Citer

Philippe Ferrandis, L. Vescan, B. Holländer, V. Dashtizadeh, C. Dieker. Influence of an epitaxial Si capping of Ge islands on Si(0 0 1) and Si(1 1 0) by LPCVD. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2003, 17, pp.507-509. ⟨10.1016/S1386-9477(02)00853-6⟩. ⟨hal-01616518⟩
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