Influence of an epitaxial Si capping of Ge islands on Si(0 0 1) and Si(1 1 0) by LPCVD
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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| Licence |
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https://hal.science/hal-01616518
Soumis le : vendredi 13 octobre 2017-17:26:05
Dernière modification le : vendredi 31 octobre 2025-20:52:06
Archivage à long terme le : dimanche 14 janvier 2018-14:12:01