Influence of an epitaxial Si capping of Ge islands on Si(0 0 1) and Si(1 1 0) by LPCVD
Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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Soumis le : vendredi 13 octobre 2017-17:26:05
Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05
Archivage à long terme le : dimanche 14 janvier 2018-14:12:01