Ge Mediated Surface Preparation for Twin Free 3C-SiC Nucleation and Growth on Low Off-Axis 4H-SiC Substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue ECS Journal of Solid State Science and Technology Année : 2014

Ge Mediated Surface Preparation for Twin Free 3C-SiC Nucleation and Growth on Low Off-Axis 4H-SiC Substrate

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hal-01615319 , version 1 (16-10-2017)

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K. Alassaad, M. Vivona, V. Soulière, B. Doisneau, F. Cauwet, et al.. Ge Mediated Surface Preparation for Twin Free 3C-SiC Nucleation and Growth on Low Off-Axis 4H-SiC Substrate. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2014, 3 (8), pp.P285 - P292. ⟨10.1149/2.0121408jss⟩. ⟨hal-01615319⟩
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