Ge Mediated Surface Preparation for Twin Free 3C-SiC Nucleation and Growth on Low Off-Axis 4H-SiC Substrate
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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Soumis le : lundi 16 octobre 2017-09:33:26
Dernière modification le : samedi 27 septembre 2025-19:08:44
Archivage à long terme le : mercredi 17 janvier 2018-12:14:16