Ge Mediated Surface Preparation for Twin Free 3C-SiC Nucleation and Growth on Low Off-Axis 4H-SiC Substrate
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gabriel Ferro : Connectez-vous pour contacter le contributeur
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Soumis le : lundi 16 octobre 2017-09:33:26
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12
Archivage à long terme le : mercredi 17 janvier 2018-12:14:16