Further optimization of VLS localized epitaxy for deeper 4H-SiC p-n junctions - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (a) Année : 2017

Further optimization of VLS localized epitaxy for deeper 4H-SiC p-n junctions

Optimisation de l'épitaxie localisée par VLS pour la réalisation de jonctions p-n profondes

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01615190 , version 1 (12-10-2017)

Identifiants

Citer

Gabriel Ferro, Selsabil Sejil, Mihai Lazar, D. Carole, C. Brylinski, et al.. Further optimization of VLS localized epitaxy for deeper 4H-SiC p-n junctions. physica status solidi (a), 2017, 214 (4), ⟨10.1002/pssa.201600454⟩. ⟨hal-01615190⟩
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