Further optimization of VLS localized epitaxy for deeper 4H-SiC p-n junctions - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Physica Status Solidi A (applications and materials science) Année : 2017

Further optimization of VLS localized epitaxy for deeper 4H-SiC p-n junctions

Optimisation de l'épitaxie localisée par VLS pour la réalisation de jonctions p-n profondes

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gabriel Ferro  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01615190

Soumis le : jeudi 12 octobre 2017-09:46:07

Dernière modification le : mardi 24 septembre 2024-16:46:17

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Dates et versions

hal-01615190 , version 1 (12-10-2017)

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Citer

Gabriel Ferro, Selsabil Sejil, Mihai Lazar, D. Carole, C. Brylinski, et al.. Further optimization of VLS localized epitaxy for deeper 4H-SiC p-n junctions. Physica Status Solidi A (applications and materials science), 2017, 214 (4), ⟨10.1002/pssa.201600454⟩. ⟨hal-01615190⟩

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