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Autre Publication Scientifique Année : 2017

Introducing 7-nm FinFET technology in Microwind

Introduction de la technologie FinFET 7-nm dans Microwind

Résumé

This paper describes the implementation of a high performance FinFET-based 7-nm CMOS Technology in Microwind. Basic concepts related to the design of FinFET and design for manufacturing are also described. The performances of basic cells, ring oscillators and a 6-transistor RAM memory are also analyzed.
Cet article décrit la mise en œuvre d'une technologie nano-CMOS 7 nm FinFET à haute performance dans Microwind. Les concepts de base liés à la conception de transistors FinFET et au design for manufacturing sont également décrits. Les performances de cellules de base d'oscillateur en anneau et d'une structure de mémoire RAM à 6 transistors sont également analysées.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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Dates et versions

hal-01558775 , version 1 (10-07-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01558775 , version 1

Citer

Etienne Sicard. Introducing 7-nm FinFET technology in Microwind. 2017. ⟨hal-01558775⟩
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