Electron scattering mechanisms in ITGO (Sn+Ge doped In2O3) thin films for low emittance window coatings - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue European Physical Journal: Applied Physics Année : 1998

Electron scattering mechanisms in ITGO (Sn+Ge doped In2O3) thin films for low emittance window coatings

Résumé

no abstract
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01550248 , version 1 (29-06-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01550248 , version 1

Citer

J. Salardenne, C. Marcel, Y. Xu, G. Couturier. Electron scattering mechanisms in ITGO (Sn+Ge doped In2O3) thin films for low emittance window coatings. European Physical Journal: Applied Physics, 1998, 3 (3), pp.233-235. ⟨hal-01550248⟩

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