GaAsPN Single and Tandem Solar Cells on Silicon
Mickael da Silva
(1)
,
Charles Cornet
(1)
,
Antoine Létoublon
(1)
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Christophe Levallois
(1)
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Alain Rolland
(1)
,
Jacky Even
(1)
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Laurent Pedesseau
(1)
,
Yanping Wang
(1)
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Alain Le Corre
(1)
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Soline Boyer-Richard
(1)
,
P. Rale
(2)
,
L. Lombez
(2)
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J.-F. Guillemoles
(2)
,
A. Fave
(3)
,
F. Mandorlo
(3)
,
M. Lemiti
(3)
,
Maxime Vallet
(4)
,
Anne Ponchet
(4)
,
Olivier Durand
(1)
Mickael da Silva
- Fonction : Auteur
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Charles Cornet
- Fonction : Auteur
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Antoine Létoublon
- Fonction : Auteur
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Christophe Levallois
- Fonction : Auteur
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Alain Rolland
- Fonction : Auteur
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Jacky Even
- Fonction : Auteur
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Laurent Pedesseau
- Fonction : Auteur
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Yanping Wang
- Fonction : Auteur
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Alain Le Corre
- Fonction : Auteur
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Soline Boyer-Richard
- Fonction : Auteur
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L. Lombez
- Fonction : Auteur
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J.-F. Guillemoles
- Fonction : Auteur
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A. Fave
- Fonction : Auteur
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M. Lemiti
- Fonction : Auteur
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Maxime Vallet
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Anne Ponchet
- Fonction : Auteur
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Olivier Durand
- Fonction : Auteur
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Résumé
The development of a III‐V on silicon tandem cell is reported. GaAsPN material is considered for top cell absorber because of its quasi‐lattice matching with silicon and its pseudo‐direct bandgap at 1.7 eV. First, GaAsPN single cells are grown on both GaP and Si substrates, and their electrical performances are compared. It is found that the performances of the cell are limited by the low carrier mobility induced by the use of dilute nitrides. Then the first‐stage development of a tandem photovoltaic solar cell is reported, including a tunnel junction (TJ) made of Si.