GaAs nanowires with oxidation-proof arsenic capping for the growth of heteroepitaxial shell - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2016

GaAs nanowires with oxidation-proof arsenic capping for the growth of heteroepitaxial shell

Claude Botella
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 918205
Geneviève Grenet
M. Silly
  • Fonction : Auteur
F. Sirotti
  • Fonction : Auteur
Nicolas Chauvin
Michel Gendry
Jose Penuelas

Résumé

no abstract
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01489063 , version 1 (14-03-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01489063 , version 1

Citer

Xin Guan, Jeanne Becdelievre, Benjamin Meunier, A. Benali, Guillaume Saint-Girons, et al.. GaAs nanowires with oxidation-proof arsenic capping for the growth of heteroepitaxial shell. 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 2016, Montpellier, France. 2016. ⟨hal-01489063⟩
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