RAMAN CHARACTERIZATION OF TWINNING IN HETEROEPITAXIAL SEMICONDUCTOR LAYERS - GAAS/(CA,SR)F2 - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 1986

RAMAN CHARACTERIZATION OF TWINNING IN HETEROEPITAXIAL SEMICONDUCTOR LAYERS - GAAS/(CA,SR)F2

Robert Carles
Jb Renucci
  • Fonction : Auteur
C Fontaine
  • Fonction : Auteur
Eléna Bedel-Pereira
A Munozyague
  • Fonction : Auteur

Résumé

no abstract
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01481852 , version 1 (02-03-2017)

Identifiants

Citer

Georges Landa, Robert Carles, Jb Renucci, C Fontaine, Eléna Bedel-Pereira, et al.. RAMAN CHARACTERIZATION OF TWINNING IN HETEROEPITAXIAL SEMICONDUCTOR LAYERS - GAAS/(CA,SR)F2. Journal of Applied Physics, 1986, 60 (3), pp.1025-1031. ⟨10.1063/1.337392⟩. ⟨hal-01481852⟩
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