Growth of Ge on Si(001) studied in situ by grazing incidence small angle X-ray scattering - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2005

Growth of Ge on Si(001) studied in situ by grazing incidence small angle X-ray scattering

F. Leroy
  • Fonction : Auteur
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
J. Eymery
Service de Physique des Matériaux et Microstructures
D. Buttard
  • Fonction : Auteur
Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
G. Renaud
  • Fonction : Auteur
R. Lazzari
Oxydes en basses dimensions

Domaines

Chimie-Physique [physics.chem-ph] Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Electromagnétisme Optique / photonique

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https://hal.science/hal-01442910

Soumis le : samedi 21 janvier 2017-15:38:44

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:14:08

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Dates et versions

hal-01442910 , version 1 (21-01-2017)

Identifiants

Citer

F. Leroy, J. Eymery, D. Buttard, G. Renaud, R. Lazzari. Growth of Ge on Si(001) studied in situ by grazing incidence small angle X-ray scattering. Journal of Crystal Growth, 2005, 275 (1-2), pp.e2195 - e2200. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2004.11.246⟩. ⟨hal-01442910⟩

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