Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2016
sebastien fregonese : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01399083
Soumis le : vendredi 18 novembre 2016-12:24:36
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Citer
Sebastien Fregonese, Thomas Zimmer. Comments on “Optimization of a Compact I–V Model for Graphene FETs: Extending Parameter Scalability for Circuit Design Exploration”. IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63 (5), pp.2224 - 2225. ⟨10.1109/TED.2016.2540920⟩. ⟨hal-01399083⟩
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