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Autre Publication Scientifique Année : 2016

Développement d'un Driver Communicant pour MOSFET SiC

Christophe Bouguet
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 988646
SCN

Résumé

Nous développons un driver dédié à une technologie émergente de semi-conducteurs de puissance qui sont les MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) au carbure de silicium (SiC). La technologie SiC présente certains avantages en électronique de puissance, notamment celui de diminuer les pertes lorsque le convertisseur est en fonctionnement et donc d'améliorer son rendement. Cette diminution des pertes permet également de réduire l'encombrement final du convertisseur et d'augmenter sa fréquence de travail. Les MOSFET SiC émergent depuis quelques années et commencent à être intégrés par les industriels dans le développement de leurs convertisseurs. Au-delà de la conception d'un driver spécifique aux transistors MOSFET SiC, un second aspect des travaux de thèse consiste à implémenter une fonction de communication entre le primaire des drivers et leurs deux voies de commande. Pour des raisons de sécurité des utilisateurs, ces trois parties sont séparées par une isolation galvanique. La présence de cette barrière d'isolation galvanique empêche d'effectuer une liaison filaire entre ces différentes parties. Nos travaux portent donc sur l'implémentation d'un canal de communication présentant lui aussi une barrière d'isolation galvanique. Le but de ce système de communication est d'enrichir le message d'erreur lorsqu'un problème est détecté, de suivre l'évolution de certaines grandeurs physiques du système et éventuellement de pouvoir paramétrer certaines grandeurs.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01393407 , version 1 (07-11-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01393407 , version 1

Citer

Christophe Bouguet. Développement d'un Driver Communicant pour MOSFET SiC. 2016. ⟨hal-01393407⟩
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