Convertisseur DC-DC à transistors GaN entrelacé couplé par TICs monolithiques frittés par SPS

Cet article présente la mise en œuvre d'un convertisseur DC-DC de type VRM fonctionnant à 2 MHz à commande entrelacée et dont les sorties sont couplées magnétiquement par TICs (Transformateurs InterCellules) monolithiques. Ces derniers ont été réalisés par frittage SPS et les procédés de fabrication sont détaillés dans cet article. Le fonctionnement haute fréquence a été permis grâce à la mise en œuvre de composants GaN.

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Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-01361617

Soumis le : mercredi 7 septembre 2016-14:27:46

Dernière modification le : vendredi 19 juillet 2024-11:38:04

Archivage à long terme le : jeudi 8 décembre 2016-14:17:16

Dates et versions

hal-01361617 , version 1 (07-09-2016)

Identifiants

HAL Id : hal-01361617 , version 1

Citer

Adrien Mercier, Fabien Adam, Denis Labrousse, Bertrand Revol, Oleksandr Pasko, et al.. Convertisseur DC-DC à transistors GaN entrelacé couplé par TICs monolithiques frittés par SPS. Symposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01361617⟩

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