Trois MESFETs conçus au laboratoire Ampère (Lyon) et réalisé au CNM (Barcelone) Ces MESFETs sont dédiés à la réalisation de driver monolithique de JFET de puissance en SiC, travaillant en environnement sévère (>300 °C) • Composants SiC prometteurs pour électronique embarquée de puissance: fonctionne à plus haute fréquence, à plus haute tension et à plus haute température. • ESD, problèmes majeurs de fiabilité sur les circuits intégrés. • Etude TLP afin de qualifier un Mesfet pour des applications (de puissance, de signal, de fonctions logiques) et ainsi faciliter sa mise sur le marché et son développement.