Effect of the AlN interfacial layer on the piezoelectric properties of GaN nanowires - Archive ouverte HAL
Poster De Conférence Année : 2014

Effect of the AlN interfacial layer on the piezoelectric properties of GaN nanowires

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Frédéric Houzé  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01338879

Soumis le : mercredi 29 juin 2016-12:16:10

Dernière modification le : vendredi 22 décembre 2023-11:37:07

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01338879 , version 1 (29-06-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01338879 , version 1

Citer

Nicolas Jamond, Pascal Chrétien, L Largeau, Olivia Mauguin, Elisabeth Galopin, et al.. Effect of the AlN interfacial layer on the piezoelectric properties of GaN nanowires. Réunion plénière des GDR PULSE (Processus ULtimes en épitaxie de SEmiconducteurs) et NNS (NanoFils, Nanotubes, Semiconducteurs), Oct 2014, Toulouse, France. ⟨hal-01338879⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

SUPELEC UPMC EC-PARIS CNRS SUP_LGEP SUP_CE GEEPS PHEMADIC UNIV-PARIS-SACLAY SORBONNE-UNIVERSITE SU-SCIENCES
80 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More