An Accurate Physics-Based Compact Model for Dual-Gate Bilayer Graphene FETs - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2015

An Accurate Physics-Based Compact Model for Dual-Gate Bilayer Graphene FETs

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

sebastien fregonese  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01235964

Soumis le : mardi 1 décembre 2015-09:47:37

Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-13:14:27

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Dates et versions

hal-01235964 , version 1 (01-12-2015)

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Citer

Jorge-Daniel Aguirre-Morales, Sebastien Fregonese, Chhandak Mukherjee, Cristell Maneux, Thomas Zimmer. An Accurate Physics-Based Compact Model for Dual-Gate Bilayer Graphene FETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2015, 62 (12), ⟨10.1109/TED.2015.2487243⟩. ⟨hal-01235964⟩

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