Surface state improvement in GaN deep etching for power electronics applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01228470 , version 1 (13-11-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01228470 , version 1

Citer

Nicolas Gosset, Floriane Leroy, Thomas Tillocher, Julien Ladroue, Philippe Lefaucheux, et al.. Surface state improvement in GaN deep etching for power electronics applications. 37th International Symposium on Dry Process (DPS 2015), Nov 2015, Awaji Island, Japan. ⟨hal-01228470⟩
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