Communication Dans Un Congrès
Année : 2015
Thomas Tillocher : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01228470
Soumis le : vendredi 13 novembre 2015-10:55:47
Dernière modification le : lundi 19 février 2024-16:15:58
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01228470 , version 1
Citer
Nicolas Gosset, Floriane Leroy, Thomas Tillocher, Julien Ladroue, Philippe Lefaucheux, et al.. Surface state improvement in GaN deep etching for power electronics applications. 37th International Symposium on Dry Process (DPS 2015), Nov 2015, Awaji Island, Japan. ⟨hal-01228470⟩
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