Scaling of Ω-gate SOI nanowire N- and P-FET down to 10nm gate length: Size- and orientation-dependent strain effects - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Scaling of Ω-gate SOI nanowire N- and P-FET down to 10nm gate length: Size- and orientation-dependent strain effects

S. Barraud
  • Fonction : Auteur
R. Coquand
  • Fonction : Auteur
V. Maffini-Alvaro
  • Fonction : Auteur
M.-P. Samson
  • Fonction : Auteur
J.-M. Hartmann
  • Fonction : Auteur
L. Tosti
  • Fonction : Auteur
M. Cassé
  • Fonction : Auteur
V.-H. Nguyen
  • Fonction : Auteur
Y.-M. Niquet
  • Fonction : Auteur
C. Tabone
  • Fonction : Auteur
P. Perreau
  • Fonction : Auteur
F. Allain
  • Fonction : Auteur
C. Comboroure
  • Fonction : Auteur
F. Aussenac
  • Fonction : Auteur
S. Monfray
  • Fonction : Auteur
F. Boeuf
  • Fonction : Auteur
B. De Salvo
  • Fonction : Auteur
O. Faynot
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01182112 , version 1 (30-07-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01182112 , version 1

Citer

S. Barraud, R. Coquand, V. Maffini-Alvaro, M.-P. Samson, J.-M. Hartmann, et al.. Scaling of Ω-gate SOI nanowire N- and P-FET down to 10nm gate length: Size- and orientation-dependent strain effects. 2013 Symposium on VLSI Technology: Digest of Technical Papers, Jun 2013, Kyoto, Japan. pp.T230-231. ⟨hal-01182112⟩
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