Communication Dans Un Congrès
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01182112
Soumis le : jeudi 30 juillet 2015-14:25:38
Dernière modification le : vendredi 12 avril 2024-18:32:05
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01182112 , version 1
Citer
S. Barraud, R. Coquand, V. Maffini-Alvaro, M.-P. Samson, J.-M. Hartmann, et al.. Scaling of Ω-gate SOI nanowire N- and P-FET down to 10nm gate length: Size- and orientation-dependent strain effects. 2013 Symposium on VLSI Technology: Digest of Technical Papers, Jun 2013, Kyoto, Japan. pp.T230-231. ⟨hal-01182112⟩
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