Communication Dans Un Congrès
Année : 2014
Thomas Tillocher : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01151851
Soumis le : mercredi 13 mai 2015-16:46:44
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:00
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01151851 , version 1
Citer
Nicolas Gosset, Julien Ladroue, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, et al.. Improvement of GaN Deep Etched Surface State by Fluorination Dedicated to Power Devices. 226th meeting of the Electrochemical Society, Oct 2014, Cancun, Mexico. ⟨hal-01151851⟩
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