Electroluminescence of InGaAs/GaP quantum dots and band engineering of AlGaP/GaP laser injection layers - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Electroluminescence of InGaAs/GaP quantum dots and band engineering of AlGaP/GaP laser injection layers

Ronan Tremblay
Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
Yong Huang
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Jean-Philippe Gauthier
  • Fonction : Auteur
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Rozenn Piron
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Alexandre Beck
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Christophe Levallois
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Cyril Paranthoën
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Laurent Pedesseau
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Jacky Even
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Tony Rohel
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  • PersonId : 872790
Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
Karine Tavernier
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Julie Le Pouliquen
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Hélène Carrère
Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse
Xavier Marie
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Olivier Durand
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Yoan Léger
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Charles Cornet
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Domaines

Optique / photonique Matériaux Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Charles Cornet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01147506

Soumis le : jeudi 30 avril 2015-15:34:47

Dernière modification le : lundi 16 septembre 2024-17:52:04

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01147506 , version 1 (30-04-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01147506 , version 1

Citer

Ronan Tremblay, Yong Huang, Jean-Philippe Gauthier, Rozenn Piron, Alexandre Beck, et al.. Electroluminescence of InGaAs/GaP quantum dots and band engineering of AlGaP/GaP laser injection layers. Compound Semiconductor Week 2015 (CSW 2015), Jun 2015, Santa-Barbara, United States. ⟨hal-01147506⟩

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