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Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Functionalization of HTCVD Grown Aluminium Nitride

Domaines

Matériaux
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01138861 , version 1 (02-04-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01138861 , version 1

Citer

M. Pons, R. Boichot, Florian Mercier, E. Blanquet, S. Lay, et al.. Functionalization of HTCVD Grown Aluminium Nitride. 3CG Collaborative Conference on Crystal Growth, 2014, Phuket, Thailand. ⟨hal-01138861⟩
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