Communication Dans Un Congrès
Année : 2014
Remi Dussart : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01057239
Soumis le : jeudi 21 août 2014-17:50:12
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:59
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01057239 , version 1
Citer
Nicolas Gosset, Julien Ladroue, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, et al.. Effect of surface fluorination on GaN deep dry etching defects. Plasma Etch and Strip in Microtechnology, May 2014, Grenoble, France. ⟨hal-01057239⟩
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