Effect of surface fluorination on GaN deep dry etching defects - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01057239 , version 1 (21-08-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01057239 , version 1

Citer

Nicolas Gosset, Julien Ladroue, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, et al.. Effect of surface fluorination on GaN deep dry etching defects. Plasma Etch and Strip in Microtechnology, May 2014, Grenoble, France. ⟨hal-01057239⟩
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