Dry deep etching of GaN wide-bandgap semiconductor - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01056606 , version 1 (20-08-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01056606 , version 1

Citer

Nicolas Gosset, Julien Ladroue, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, et al.. Dry deep etching of GaN wide-bandgap semiconductor. 19th International Vacuum Conference, Sep 2013, Paris, France. ⟨hal-01056606⟩
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