Communication Dans Un Congrès
Année : 2013
Remi Dussart : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01056606
Soumis le : mercredi 20 août 2014-11:19:07
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:59
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01056606 , version 1
Citer
Nicolas Gosset, Julien Ladroue, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, et al.. Dry deep etching of GaN wide-bandgap semiconductor. 19th International Vacuum Conference, Sep 2013, Paris, France. ⟨hal-01056606⟩
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