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Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Variation des paramètres d'un transistor bipolaire Si/SiGe:C BiCMOS9MW, en fonction de la contrainte apportée par la densité des connexions métalliques

Résumé

Dans cette étude, l'impact du schéma de connexion au-dessus d'un transistor (technologie BiCMOS9MW) est évalué grâce à différentes configurations de " dummies ". Il est montré que plusieurs paramètres clés sont modifiés en fonction de la densité de connexions en métal à travers la modification de l'énergie de la bande interdite. En effet on observe +25% en courant collecteur IC entre la structure la moins dense et la plus dense. De même les fréquences fT et fMAX augmentent de +21% et 12% respectivement.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01020310 , version 1 (08-07-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01020310 , version 1

Citer

Elodie Canderle, Pascal Chevalier, Christophe Gaquière. Variation des paramètres d'un transistor bipolaire Si/SiGe:C BiCMOS9MW, en fonction de la contrainte apportée par la densité des connexions métalliques. 17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01020310⟩
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