Nouvelle technologie de contact pour CMOS FD-SOI 10nm et en deçà le contact dipolaire - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Nouvelle technologie de contact pour CMOS FD-SOI 10nm et en deçà le contact dipolaire

Résumé

Il a récemment été démontré [1] que l'insertion d'une bicouche de diélectriques entre le métal et le semiconducteur d'un contact pouvait induire une réduction significative de la résistance spécifique. Cet ajout permet dans un premier temps de relâcher l'ancrage du niveau de Fermi impliquant une première réduction de la hauteur de barrière Schottky. De plus, l'apparition d'un dipôle à l'interface entre les deux oxydes engendre une modification des bandes pouvant entraîner une réduction additionnelle de la hauteur de barrière. Cette technologie est donc pressentie pour la réalisation de contacts pour CMOS FD-SOI 10nm présentant une résistance de contact de l'ordre de 10-9 Ω.cm2.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01020275 , version 1 (08-07-2014)

Licence

Paternité

Identifiants

  • HAL Id : hal-01020275 , version 1

Citer

Julien Borrel, Louis Hutin, Magali Grégoire, Fabrice Nemouchi, Olivier Rozeau, et al.. Nouvelle technologie de contact pour CMOS FD-SOI 10nm et en deçà le contact dipolaire. 17es Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01020275⟩
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