Nouvelle technologie de contact pour CMOS FD-SOI 10nm et en deçà le contact dipolaire
Résumé
Il a récemment été démontré [1] que l'insertion d'une bicouche de diélectriques entre le métal et le semiconducteur d'un contact pouvait induire une réduction significative de la résistance spécifique. Cet ajout permet dans un premier temps de relâcher l'ancrage du niveau de Fermi impliquant une première réduction de la hauteur de barrière Schottky. De plus, l'apparition d'un dipôle à l'interface entre les deux oxydes engendre une modification des bandes pouvant entraîner une réduction additionnelle de la hauteur de barrière. Cette technologie est donc pressentie pour la réalisation de contacts pour CMOS FD-SOI 10nm présentant une résistance de contact de l'ordre de 10-9 Ω.cm2.