Ab initio modeling of strain effects in indium based semiconductors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01018208 , version 1 (03-07-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01018208 , version 1

Citer

Chahira Hajlaoui, Laurent Pedesseau, Faical Raouafi, Fadhel Ben Cheikh Larbi, Jacky Even. Ab initio modeling of strain effects in indium based semiconductors. 5th International Conference on One dimensional Nanomaterials (ICON 2013), Sep 2013, Annecy, France. ⟨hal-01018208⟩
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