Ab initio modeling of strain effects in indium based semiconductors - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Ab initio modeling of strain effects in indium based semiconductors

Domaines

Optique / photonique

Soline Boyer  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01018208

Soumis le : jeudi 3 juillet 2014-18:44:36

Dernière modification le : lundi 16 septembre 2024-17:52:04

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01018208 , version 1 (03-07-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01018208 , version 1

Citer

Chahira Hajlaoui, Laurent Pedesseau, Faical Raouafi, Fadhel Ben Cheikh Larbi, Jacky Even. Ab initio modeling of strain effects in indium based semiconductors. 5th International Conference on One dimensional Nanomaterials (ICON 2013), Sep 2013, Annecy, France. ⟨hal-01018208⟩

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