Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01017436
Soumis le : mercredi 2 juillet 2014-15:07:10
Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54
Citer
M.K. Joo, J. Huh, M. Mouis, S.J. Park, D.Y. Jeon, et al.. Channel access resistance effects on charge carrier mobility and low-frequency noise in a polymethyl methacrylate passivated SnO2 nanowire field-effect transistors. Applied Physics Letters, 2013, 102 (Issue 5), pp.053114. ⟨10.1063/1.4788708⟩. ⟨hal-01017436⟩
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