Réalisation et caractérisation de diodes Schottky en diamant monocristallin protégées par plaque de champ sur Si3N4

Des diodes Schottky sont réalisées sur un échantillon vertical de diamant monocristallin dont la croissance a été réalisée au LSPM. Ces diodes ont été fabriquées en salle blanche au LAAS en tenant compte des résultats de simulations précédemment réalisées au laboratoire.Des caractéristiques électriques et en température ont ensuite été faites sur une station sous pointes. Les résultats de caractérisation sont montrés dans cet article, ainsi qu'une discussion autour de ces mêmes résultats.

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Fichier principal

EPF2012_final.pdf (363.22 Ko)

Origine	Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Karine Isoird : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01005917

Soumis le : vendredi 13 juin 2014-14:32:15

Dernière modification le : mardi 24 septembre 2024-16:54:51

Archivage à long terme le : samedi 13 septembre 2014-11:15:57

Dates et versions

hal-01005917 , version 1 (13-06-2014)

Identifiants

HAL Id : hal-01005917 , version 1

Citer

Fabien Thion, Karine Isoird, Dominique Planson, Marie-Laure Locatelli, Henri Schneider, et al.. Réalisation et caractérisation de diodes Schottky en diamant monocristallin protégées par plaque de champ sur Si3N4. 14ème EPF, Jul 2012, Bordeaux, France. 4 p. ⟨hal-01005917⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UNIV-PARIS13 UNIV-TLSE2 CNRS UNIV-LYON1 INSA-LYON INSA-TOULOUSE EC-LYON LAAS AMPERE UT1-CAPITOLE LSPM_P13 LAAS-ISGE LAAS-I2C LAAS-GESTION-DE-L-ENERGIE GALILE INSA-GROUPE UDL LAPLACE LAPLACE_MDCE INRAE SORBONNE-PARIS-NORD TOULOUSE-INP UNIV-UT3 UT3-TOULOUSEINP ACT-R

448 Consultations

510 Téléchargements