GaN/AlGaN intersubband optoelectronic devices - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue New Journal of Physics Année : 2009

GaN/AlGaN intersubband optoelectronic devices

Catherine Bougerol
Nanophysique et Semiconducteurs
H. Machhadani
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Institut d'électronique fondamentale
P. K. Kandaswamy
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 865194
Nanophysique et Semiconducteurs
S. Saki
  • Fonction : Auteur
Assaf Vardi
  • Fonction : Auteur
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Institut de biologie de l'Ecole Normale Supérieure
A. Wirtmuller
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Laurent Nevou
  • Fonction : Auteur
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Institut d'électronique fondamentale
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Identité et Différenciation de l’Espace, de l’Environnement et des Sociétés
G. Pozzovivo
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Maria Tchernycheva
Institut d'électronique fondamentale
Alaviana Lupu
  • Fonction : Auteur
Department of internal medicine V
Laurent Vivien
Institut d'électronique fondamentale
Eva Monroy
Service de Physique des Matériaux et Microstructures

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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Soumis le : vendredi 13 juin 2014-10:19:04

Dernière modification le : lundi 9 décembre 2024-03:38:19

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hal-01005654 , version 1 (13-06-2014)

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Citer

Catherine Bougerol, H. Machhadani, P. K. Kandaswamy, S. Saki, Assaf Vardi, et al.. GaN/AlGaN intersubband optoelectronic devices. New Journal of Physics, 2009, 11, pp.125023. ⟨10.1088/1367-2630/11/12/125023⟩. ⟨hal-01005654⟩

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