Analysis of InP/GaAsSb DHBT failure mechanisms under accelerated aging tests - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Analysis of InP/GaAsSb DHBT failure mechanisms under accelerated aging tests

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

sebastien fregonese  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01002159

Soumis le : jeudi 5 juin 2014-16:47:14

Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-13:14:27

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01002159 , version 1 (05-06-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01002159 , version 1

Citer

G. A. Koné, B. Grandchamp, C. Maneux, N. Labat, T. Zimmer, et al.. Analysis of InP/GaAsSb DHBT failure mechanisms under accelerated aging tests. International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), 2012, Aug 2012, santa barbara, United States. pp.208-211. ⟨hal-01002159⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS IMS-BORDEAUX IMS-BORDEAUX-FUSION
26 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More