Performance improvement of normally off AlGaN/GaN FinFETs with fully gate-covered nanochannel - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2013

Performance improvement of normally off AlGaN/GaN FinFETs with fully gate-covered nanochannel

K. S. Im
  • Fonction : Auteur
D.H. Son
  • Fonction : Auteur
H.K. Ahn
  • Fonction : Auteur
Hk. Bae
  • Fonction : Auteur
Sb. Mun
  • Fonction : Auteur
Jk. Nam
  • Fonction : Auteur
J.H. Lee
  • Fonction : Auteur

Résumé

Vol. 89, pp. doi: (Nov. 2013)

Dates et versions

hal-01002158 , version 1 (05-06-2014)

Identifiants

Citer

K. S. Im, D.H. Son, H.K. Ahn, Hk. Bae, Sb. Mun, et al.. Performance improvement of normally off AlGaN/GaN FinFETs with fully gate-covered nanochannel. Solid-State Electronics, 2013, 89, pp.124-127. ⟨10.1016/j.sse.2013.08.001⟩. ⟨hal-01002158⟩
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