Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01002150
Soumis le : jeudi 5 juin 2014-16:40:17
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:20:16
Citer
C. G. Theodorou, T. Hoffman, T. Chiarella, G. Ghibaudo, C.A. Dimitriadis. Origin of the low-frequency noise in n-channel FinFETs. Solid-State Electronics, 2013, 82, pp.21-24. ⟨10.1016/j.sse.2013.01.009⟩. ⟨hal-01002150⟩
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