Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01002096
Soumis le : jeudi 5 juin 2014-15:26:50
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:00:27
Citer
F. Conzatti, M.G. Pala, D. Esseni, E. Bano. Investigation of localized versus uniform strain as a performance booster in InAs Tunnel-FETs. Solid-State Electronics, 2013, 88, pp.49-53. ⟨10.1016/j.sse.2013.04.005⟩. ⟨hal-01002096⟩
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