Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01001960
Soumis le : jeudi 5 juin 2014-11:59:19
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:29:49
Citer
S.J. Park, D.Y. Jeon, L. Montes, S. Barraud, G.T. Kim, et al.. Back biasing effects in tri-gate junctionless transistors. Solid-State Electronics, 2013, 87, pp.74-79. ⟨10.1016/j.sse.2013.06.004⟩. ⟨hal-01001960⟩
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