Self-assembled growth of catalyst-free GaN wires by metal-organic vapour phase epitaxy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nanotechnology Année : 2010

Dates et versions

hal-00999293 , version 1 (03-06-2014)

Identifiants

Citer

R. Koester, Jun-Seok Hwang, C. Durand, Daniel Le-Si Dang, J. Eymery. Self-assembled growth of catalyst-free GaN wires by metal-organic vapour phase epitaxy. Nanotechnology, 2010, 21 (1), pp.015602. ⟨10.1088/0957-4484/21/1/015602⟩. ⟨hal-00999293⟩
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