Article Dans Une Revue
Nanotechnology
Année : 2010
Joël Eymery : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00999293
Soumis le : mardi 3 juin 2014-13:24:23
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:24:09
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00999293 , version 1
- DOI : 10.1088/0957-4484/21/1/015602
Citer
R. Koester, Jun-Seok Hwang, C. Durand, Daniel Le-Si Dang, J. Eymery. Self-assembled growth of catalyst-free GaN wires by metal-organic vapour phase epitaxy. Nanotechnology, 2010, 21 (1), pp.015602. ⟨10.1088/0957-4484/21/1/015602⟩. ⟨hal-00999293⟩
87
Consultations
0
Téléchargements