Article Dans Une Revue
Journ. Appl. Phys.
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00994570
Soumis le : mercredi 21 mai 2014-16:45:02
Dernière modification le : mercredi 11 septembre 2024-10:52:34
Citer
A. Ohata, N. Rodriguez, C. Navarro, L. Donetti, F. Gamiz, et al.. Impact of back-gate biasing on effective field and mobility in ultrathin silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors. Journ. Appl. Phys., 2013, 113 (14), pp.144514. ⟨10.1063/1.4799612⟩. ⟨hal-00994570⟩
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