Detailed Analysis of the Role of Thin-HfO2 Interfacial Layer in Ge2Sb2Te5-Based PCM - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2013
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Dates et versions

hal-00994450 , version 1 (21-05-2014)

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Citer

Q. Hubert, C. Jahan, A. Toffoli, V. Delaye, D. Lafond, et al.. Detailed Analysis of the Role of Thin-HfO2 Interfacial Layer in Ge2Sb2Te5-Based PCM. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60 (7), pp.2268-2275. ⟨10.1109/TED.2013.2264323⟩. ⟨hal-00994450⟩
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