Strain-Enhanced Performance of Si-Nanowire FETs
S. Barraud
(1)
,
R. Coquand
(2)
,
M. Koyamad
,
D. Cooper
(3)
,
C. Vizioz
,
C. Comboroure
,
P. Perreau
,
V. Maffini-Alvaro
,
C. Tabone
(3)
,
L. Tosti
,
S. Barnola
(3)
,
V. Delaye
(4)
,
F. Aussenac
(5)
,
G. Ghibaudo
(2)
,
G. Reimbold
1
LGCIE -
Laboratoire de Génie Civil et d'Ingénierie Environnementale
2 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 SIMaP - Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
5 Bruker Biospin SA
2 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 SIMaP - Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
5 Bruker Biospin SA
M. Koyamad
- Fonction : Auteur
C. Vizioz
- Fonction : Auteur
C. Comboroure
- Fonction : Auteur
P. Perreau
- Fonction : Auteur
V. Maffini-Alvaro
- Fonction : Auteur
L. Tosti
- Fonction : Auteur
G. Ghibaudo
- Fonction : Auteur
- PersonId : 170596
- IdHAL : gerard-ghibaudo
- ORCID : 0000-0001-9901-0679
- IdRef : 069253099
G. Reimbold
- Fonction : Auteur